2025-2031年中國碳化硅行業(yè)深度研究與投資潛力分析報告碳化硅 碳化硅市場分析2025-2031年中國碳化硅行業(yè)深度研究與投資潛力分析報告,報告首先介紹了碳化硅的基本概念、影響國內(nèi)碳化硅發(fā)展的經(jīng)濟環(huán)境、國際環(huán)境、政策環(huán)境、技術(shù)環(huán)境及產(chǎn)業(yè)環(huán)境。接著分析了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、國內(nèi)碳化硅行業(yè)的發(fā)展狀況及碳化硅進出口規(guī)模,然后對碳化硅器件的重點

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2025-2031年中國碳化硅行業(yè)深度研究與投資潛力分析報告

Tag:碳化硅  
碳化硅(SiC)為第三代半導體材料,在大自然中以莫桑石(moissanite)這種稀罕的礦物的形式存在,與其它第三代半導體材料相比,碳化硅具有更高的飽和電子遷移速度、更高的熱導率和更低的導通阻抗。另外,碳化硅基功率器件在開關(guān)頻率、散熱能力和損耗等指標上也遠好于硅基器件。
國際層面,全球碳化硅器件市場格局仍由海外巨頭主導。2022年全球?qū)щ娦吞蓟韫β势骷袌鲆?guī)模為10.90億美元,市場份額由海外巨頭意法半導體、Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機、安森美等廠商壟斷,全球TOP6占據(jù)99%的市場份額。
國內(nèi)方面,2017-2022年,中國碳化硅基電力電子器件應(yīng)用市場快速增長。2022年中國碳化硅電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模達到71.1億元,同比增長51.9%。根據(jù)測算,2023年中國碳化硅功率器件應(yīng)用市場規(guī)模約96.5億元。目前,碳化硅半導體主要應(yīng)用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域,在民用、軍用領(lǐng)域均具有明確且可觀的市場前景。
目前,我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領(lǐng)域,隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施,碳化硅半導體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料是微波射頻、功率電子、光電子的“核芯”,滿足國防安全、信息安全、智能制造、節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)升級等國家重大戰(zhàn)略需求。大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè),可引領(lǐng)帶動原材料與設(shè)備兩個千億級產(chǎn)業(yè),將助力我國加快向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。
產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國碳化硅行業(yè)深度研究與投資潛力分析報告》共十二章。報告首先介紹了碳化硅的基本概念、影響國內(nèi)碳化硅發(fā)展的經(jīng)濟環(huán)境、國際環(huán)境、政策環(huán)境、技術(shù)環(huán)境及產(chǎn)業(yè)環(huán)境。接著分析了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、國內(nèi)碳化硅行業(yè)的發(fā)展狀況及碳化硅進出口規(guī)模,然后對碳化硅器件的重點應(yīng)用領(lǐng)域進行了系統(tǒng)分析,還對國內(nèi)外碳化硅重點企業(yè)做了詳實的解析,最后對其投資狀況和發(fā)展前景做了科學的分析和預(yù)測。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計局、工信部、中國半導體行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點刊物等渠道,數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實、豐富,同時通過專業(yè)的分析預(yù)測模型,對行業(yè)核心發(fā)展指標進行科學地預(yù)測。您或貴單位若想對碳化硅行業(yè)有個系統(tǒng)深入的了解、或者想投資碳化硅項目,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

報告目錄:
第一章 碳化硅的基本概述
1.1 三代半導體材料
1.1.1 半導體材料的演進
1.1.2 第一代半導體材料
1.1.3 第二代半導體材料
1.1.4 第三代半導體材料
1.2 碳化硅材料的相關(guān)介紹
1.2.1 碳化硅的內(nèi)涵
1.2.2 比較優(yōu)勢分析
1.2.3 主要產(chǎn)品類型
1.2.4 應(yīng)用范圍廣泛
1.2.5 主要制備流程
1.2.6 主要制造工藝
1.3 碳化硅技術(shù)壁壘分析
1.3.1 長晶工藝技術(shù)壁壘
1.3.2 外延工藝技術(shù)壁壘
1.3.3 器件工藝技術(shù)壁壘

第二章 2021-2024年中國碳化硅行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
2.1 經(jīng)濟環(huán)境分析
2.1.1 全球經(jīng)濟形勢
2.1.2 宏觀經(jīng)濟概況
2.1.3 工業(yè)運行情況
2.1.4 固定資產(chǎn)投資
2.1.5 宏觀經(jīng)濟展望
2.2 國際環(huán)境分析
2.2.1 行業(yè)發(fā)展歷程
2.2.2 專利申請情況
2.2.3 全球競爭格局
2.2.4 產(chǎn)業(yè)鏈全景
2.2.5 企業(yè)競爭格局
2.2.6 企業(yè)合作情況
2.2.7 產(chǎn)品價格走勢
2.3 政策環(huán)境分析
2.3.1 行業(yè)監(jiān)管體系
2.3.2 政策發(fā)展演變
2.3.3 相關(guān)政策匯總
2.3.4 地區(qū)相關(guān)政策
2.4 技術(shù)環(huán)境分析
2.4.1 專利申請數(shù)量
2.4.2 專利類型分析
2.4.3 專利法律狀態(tài)
2.4.4 主要專利申請人

第三章 中國碳化硅產(chǎn)業(yè)環(huán)境——半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
3.1 半導體產(chǎn)業(yè)鏈
3.2 全球半導體市場總體分析
3.2.1 市場銷售規(guī)模
3.2.2 產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入
3.2.3 行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
3.2.4 區(qū)域市場格局
3.2.5 企業(yè)營收排名
3.2.6 市場規(guī)模預(yù)測
3.3 中國半導體市場運行狀況
3.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.3.2 產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模
3.3.3 企業(yè)數(shù)量變化
3.3.4 產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
3.4 中國半導體產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展機遇
3.4.1 技術(shù)發(fā)展利好
3.4.2 基建投資機遇
3.4.3 行業(yè)發(fā)展機遇
3.4.4 進口替代良機
3.5 “十四五”中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展前景
3.5.1 產(chǎn)業(yè)上游發(fā)展前景
3.5.2 產(chǎn)業(yè)中游發(fā)展前景
3.5.3 產(chǎn)業(yè)下游發(fā)展前景

第四章 2021-2024年中國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)分析
4.1 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析
4.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
4.1.2 產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)
4.1.3 各環(huán)節(jié)成本
4.2 上游——碳化硅襯底環(huán)節(jié)
4.2.1 襯底主要分類
4.2.2 襯底制備流程
4.2.3 企業(yè)研發(fā)進度
4.2.4 襯底成本比較
4.2.5 襯底價格走勢
4.2.6 襯底尺寸發(fā)展
4.2.7 競爭格局分析
4.2.8 市場規(guī)模展望
4.3 中游——碳化硅外延環(huán)節(jié)
4.3.1 外延環(huán)節(jié)介紹
4.3.2 外延技術(shù)流程
4.3.3 主要制造設(shè)備
4.3.4 技術(shù)發(fā)展水平
4.3.5 外延價格走勢
4.3.6 競爭格局分析
4.4 下游——碳化硅器件環(huán)節(jié)
4.4.1 器件制造流程
4.4.2 器件主要分類
4.4.3 技術(shù)發(fā)展水平
4.4.4 企業(yè)產(chǎn)品布局
4.4.5 器件價格走勢

第五章 2021-2024年中國碳化硅行業(yè)發(fā)展情況
5.1 中國碳化硅行業(yè)發(fā)展綜況
5.1.1 產(chǎn)業(yè)所屬分類
5.1.2 行業(yè)發(fā)展階段
5.1.3 行業(yè)發(fā)展價值
5.1.4 技術(shù)研發(fā)進展
5.2 中國碳化硅市場運行分析
5.2.1 市場規(guī)模分析
5.2.2 應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
5.2.3 供需狀況分析
5.2.4 市場價格走勢
5.2.5 市場利潤空間
5.3 中國碳化硅企業(yè)競爭分析
5.3.1 企業(yè)數(shù)量規(guī)模
5.3.2 企業(yè)分布特點
5.3.3 上市公司布局
5.3.4 企業(yè)合作加快
5.3.5 企業(yè)項目產(chǎn)能
5.4 碳化硅行業(yè)重點區(qū)域發(fā)展分析
5.4.1 地區(qū)發(fā)展實力
5.4.2 地區(qū)產(chǎn)能狀況
5.4.3 地區(qū)利好政策
5.4.4 地區(qū)項目動態(tài)
5.4.5 地區(qū)發(fā)展短板
5.4.6 地區(qū)發(fā)展方向
5.5 中國碳化硅行業(yè)發(fā)展的問題及對策
5.5.1 成本及設(shè)備問題
5.5.2 技術(shù)和人才缺乏
5.5.3 技術(shù)發(fā)展問題
5.5.4 產(chǎn)品良率偏低
5.5.5 行業(yè)發(fā)展對策

第六章 2020-2023年中國碳化硅進出口數(shù)據(jù)分析
6.1 進出口總量數(shù)據(jù)分析
6.1.1 進出口規(guī)模分析
6.1.2 進出口結(jié)構(gòu)分析
6.1.3 貿(mào)易順逆差分析
6.2 主要貿(mào)易國進出口情況分析
6.2.1 進口市場分析
6.2.2 出口市場分析
6.3 主要省市進出口情況分析
6.3.1 進口市場分析
6.3.2 出口市場分析

第七章 2021-2024年碳化硅器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域
7.1 碳化硅器件種類及應(yīng)用比例
7.1.1 主流器件的應(yīng)用
7.1.2 下游的應(yīng)用比例
7.1.3 碳化硅功率器件
7.1.4 碳化硅射頻器件
7.2 新能源汽車
7.2.1 應(yīng)用環(huán)境分析
7.2.2 應(yīng)用需求分析
7.2.3 應(yīng)用優(yōu)勢分析
7.2.4 企業(yè)布局加快
7.2.5 應(yīng)用問題及對策
7.3 5G通信
7.3.1 應(yīng)用環(huán)境分析
7.3.2 應(yīng)用優(yōu)勢分析
7.3.3 國際企業(yè)布局
7.3.4 國內(nèi)企業(yè)布局
7.4 軌道交通
7.4.1 應(yīng)用環(huán)境分析
7.4.2 應(yīng)用優(yōu)勢分析
7.4.3 應(yīng)用狀況分析
7.4.4 應(yīng)用項目案例
7.4.5 應(yīng)用規(guī)模預(yù)測
7.5 光伏逆變器
7.5.1 應(yīng)用環(huán)境分析
7.5.2 應(yīng)用優(yōu)勢分析
7.5.3 應(yīng)用案例分析
7.5.4 應(yīng)用空間分析
7.5.5 應(yīng)用前景預(yù)測
7.6 其他應(yīng)用領(lǐng)域
7.6.1 家電領(lǐng)域
7.6.2 特高壓領(lǐng)域
7.6.3 航天電子領(lǐng)域
7.6.4 服務(wù)器電源領(lǐng)域
7.6.5 工業(yè)電機驅(qū)動器領(lǐng)域

第八章 2021-2024年國際碳化硅典型企業(yè)分析
8.1 科銳(后更名為Wolfspeed)
8.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局
8.1.3 財務(wù)運行狀況
8.2 羅姆半導體集團(ROHMSemiconductor)
8.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2 主要產(chǎn)品介紹
8.2.3 技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.4 業(yè)務(wù)發(fā)展布局
8.2.5 財務(wù)運行狀況
8.2.6 未來發(fā)展規(guī)劃
8.3 意法半導體(STMicroelectronicsN.V.)
8.3.1 公司發(fā)展概況
8.3.2 業(yè)務(wù)關(guān)注領(lǐng)域
8.3.3 產(chǎn)品研發(fā)動態(tài)
8.3.4 財務(wù)運行狀況
8.3.5 未來規(guī)劃布局
8.4 英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)
8.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2 業(yè)務(wù)發(fā)展布局
8.4.3 企業(yè)合作動態(tài)
8.4.4 財務(wù)運行狀況
8.4.5 產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.5 安森美半導體(ONSemiconductorCorp.)
8.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2 主要產(chǎn)品系列
8.5.3 業(yè)務(wù)發(fā)展布局
8.5.4 財務(wù)運行狀況

第九章 2020-2024年國內(nèi)碳化硅典型企業(yè)分析
9.1 三安光電股份有限公司
9.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.1.2 業(yè)務(wù)發(fā)展布局
9.1.3 經(jīng)營效益分析
9.1.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.1.5 財務(wù)狀況分析
9.1.6 核心競爭力分析
9.1.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.1.8 未來前景展望
9.2 華潤微電子有限公司
9.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.2.2 主要業(yè)務(wù)模式
9.2.3 業(yè)務(wù)發(fā)展布局
9.2.4 經(jīng)營效益分析
9.2.5 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.2.6 財務(wù)狀況分析
9.2.7 核心競爭力分析
9.2.8 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.2.9 未來前景展望
9.3 浙江晶盛機電股份有限公司
9.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.3.2 行業(yè)發(fā)展地位
9.3.3 公司主營業(yè)務(wù)
9.3.4 經(jīng)營效益分析
9.3.5 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.3.6 財務(wù)狀況分析
9.3.7 核心競爭力分析
9.3.8 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.3.9 未來前景展望
9.4 嘉興斯達半導體股份有限公司
9.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.4.2 主要業(yè)務(wù)模式
9.4.3 經(jīng)營效益分析
9.4.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.4.5 財務(wù)狀況分析
9.4.6 核心競爭力分析
9.4.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.4.8 未來前景展望
9.5 露笑科技股份有限公司
9.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 公司主要業(yè)務(wù)
9.5.3 經(jīng)營效益分析
9.5.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.5.5 財務(wù)狀況分析
9.5.6 核心競爭力分析
9.5.7 未來前景展望
9.6 北京天科合達半導體股份有限公司
9.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.6.2 業(yè)務(wù)發(fā)展布局
9.6.3 技術(shù)研發(fā)實力
9.6.4 主要經(jīng)營模式
9.6.5 企業(yè)融資布局
9.6.6 產(chǎn)品研發(fā)動態(tài)
9.6.7 未來發(fā)展戰(zhàn)略
9.7 山東天岳先進科技股份有限公司
9.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.7.2 主要產(chǎn)品類別
9.7.3 經(jīng)營效益分析
9.7.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.7.5 財務(wù)狀況分析
9.7.6 核心競爭力分析
9.7.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.7.8 未來前景展望

第十章 中國碳化硅行業(yè)投融資狀況分析
10.1 碳化硅行業(yè)投融資及兼并情況分析
10.1.1 融資規(guī)模狀況
10.1.2 單筆融資金額
10.1.3 融資輪次占比
10.1.4 投資主體類型
10.1.5 主要融資事件
10.1.6 主要兼并事件
10.2 碳化硅融資項目動態(tài)
10.2.1 致瞻科技完成A+輪投資
10.2.2 漢京半導體天使輪融資
10.2.3 忱芯科技完成A輪融資
10.2.4 臻晶半導體公司融資動態(tài)
10.2.5 譜析光晶完成A輪融資
10.2.6 昕感科技完成B輪融資
10.2.7 至信微電子天使+輪融資
10.2.8 瞻芯電子完成B輪融資
10.3 碳化硅行業(yè)投資風險分析
10.3.1 宏觀經(jīng)濟風險
10.3.2 政策變化風險
10.3.3 原料供給風險
10.3.4 需求風險分析
10.3.5 市場競爭風險
10.3.6 技術(shù)風險分析

第十一章 中國碳化硅項目投資案例分析
11.1 年產(chǎn)12萬片碳化硅半導體材料項目
11.1.1 項目基本情況
11.1.2 項目實施的必要性
11.1.3 項目實施的可行性
11.1.4 項目投資概算
11.1.5 項目建設(shè)周期
11.1.6 項目經(jīng)濟效益分析
11.2 新型功率半導體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級項目
11.2.1 項目基本情況
11.2.2 項目建設(shè)的必要性
11.2.3 項目建設(shè)的可行性
11.2.4 項目投資概算
11.2.5 項目建設(shè)進度安排
11.3 碳化硅芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目
11.3.1 項目基本情況
11.3.2 項目實施的必要性
11.3.3 項目實施的可行性
11.3.4 項目投資概算
11.3.5 項目建設(shè)周期
11.3.6 項目經(jīng)濟效益分析
11.4 碳化硅半導體材料項目
11.4.1 項目基本情況
11.4.2 項目實施的可行性
11.4.3 項目投資概算
11.4.4 項目實施進度安排
11.5 碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目
11.5.1 項目基本情況
11.5.2 項目的必要性
11.5.3 項目的可行性
11.5.4 項目投資影響
11.5.5 項目投資風險
11.5.6 項目投資估算
11.5.7 項目建設(shè)周期
11.5.8 項目經(jīng)濟效益

第十二章 對2025-2031年碳化硅發(fā)展前景及趨勢預(yù)測
12.1 全球碳化硅行業(yè)發(fā)展前景及預(yù)測
12.1.1 應(yīng)用前景展望
12.1.2 技術(shù)發(fā)展趨勢
12.1.3 市場規(guī)模預(yù)測
12.1.4 市場滲透率預(yù)測
12.2 中國碳化硅行業(yè)發(fā)展機遇及走勢預(yù)測
12.2.1 綜合成本優(yōu)勢
12.2.2 產(chǎn)業(yè)政策機遇
12.2.3 市場需求旺盛
12.2.4 國產(chǎn)化動力強勁
12.2.5 市場走勢預(yù)測
12.3 對2025-2031年中國碳化硅行業(yè)預(yù)測分析
12.3.1 2025-2031年中國碳化硅行業(yè)影響因素分析
12.3.2 2025-2031年中國碳化硅功率器件應(yīng)用市場規(guī)模預(yù)測

圖表目錄
圖表1 半導體材料的演進
圖表2 常見半導體襯底材料性能對比
圖表3 同規(guī)格碳化硅器件性能優(yōu)于硅器
圖表4 碳化硅器件優(yōu)勢總結(jié)
圖表5 碳化硅產(chǎn)品類型
圖表6 碳化硅的工藝流程
圖表7 碳化硅單晶生長爐示意圖
圖表8 碳化硅外延層工藝難點
圖表9 碳化硅材料常見缺陷
圖表10 2020-2024年國內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表11 2020-2024年三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表12 2020-2024年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表13 2023年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表14 2023年三次產(chǎn)業(yè)投資占固定資產(chǎn)投資(不含農(nóng)戶)比重
圖表15 2023年分行業(yè)固定資產(chǎn)投資(不含農(nóng)戶)增長速度
圖表16 2023年固定資產(chǎn)投資新增主要生產(chǎn)與運營能力
圖表17 SiC材料及器件發(fā)展歷程
圖表18 功率SiC供應(yīng)鏈上的主要專利申請人
圖表19 功率SiC供應(yīng)鏈中的主要中國專利申請人
圖表20 領(lǐng)導廠商的SiC專利組合
圖表21 相關(guān)機構(gòu)制定碳化硅發(fā)展計劃
圖表22 海外碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全景
圖表23 2022年全球?qū)щ娦吞蓟韫β势骷袌龈偁幐窬?
圖表24 2022年全球?qū)щ娦吞蓟韫β势骷䦶S商排名
圖表25 國際碳化硅龍頭企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈合作部分情況
圖表26 2017-2022年1200vSiCSBD&SiFRD平均價格走勢
圖表27 碳化硅行業(yè)規(guī)劃政策的演變
圖表28 中國與碳化硅行業(yè)相關(guān)的政策與活動
圖表29 2014-2024年中國碳化硅專利申請數(shù)量
圖表30 碳化硅專利申請的類型

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