2025-2031年中國功率半導(dǎo)體市場深度研究與戰(zhàn)略咨詢報(bào)告
- 【報(bào)告名稱】2025-2031年中國功率半導(dǎo)體市場深度研究與戰(zhàn)略咨詢報(bào)告
- 【關(guān) 鍵 字】功率半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體市場分析
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功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，可以根據(jù)載流子類型分為雙極型功率半導(dǎo)體和單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管（BJT）、電力晶體管（GTR）、晶閘管、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等；單極型功率半導(dǎo)體包括功率MOSFET、肖特基勢壘功率二極管等。
功率半導(dǎo)體的作用是提供設(shè)備所需電能并保證電能的良好狀態(tài)，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源交通、軌道交通、發(fā)電與配電等電力電子領(lǐng)域。2024年汽車、消費(fèi)類電子等抑制性需求釋放將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場整體迎來復(fù)蘇，隨著疫情后企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)有序開展，初步核算2024年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)�；蚍磸椫�183億美元，同比增長6.3%。從市場競爭看，我國功率半導(dǎo)體行業(yè)整體市場集中度在不斷提高，CR5由2024年為22.05%增長至2024年的29.58%，國內(nèi)頭部代表企業(yè)規(guī)模在不斷擴(kuò)大，市場競爭優(yōu)勢愈發(fā)明顯。近年來，我國功率半導(dǎo)體制造進(jìn)出口貿(mào)易情況總體較好。2020-2024年進(jìn)出口總額呈波動(dòng)上升態(tài)勢，2024年為309.44億美元，較2024年增長27.88%。其中，進(jìn)口金額為18.35億美元，出口金額為12.59億美元，貿(mào)易逆差為5.76億美元。
未來，隨著折舊帶來的替換市場、電氣化程度加深帶來的新增市場以及供需格局帶來的價(jià)格增長，功率半導(dǎo)體的發(fā)展空間十分廣闊。此外，隨著我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成熟度的增加，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從海外轉(zhuǎn)移到大陸的趨勢非常明朗，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商將迎來黃金布局時(shí)期。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國功率半導(dǎo)體市場深度研究與戰(zhàn)略咨詢報(bào)告》共十四章。首先介紹了功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的相關(guān)概念、發(fā)展歷史及分類情況，接著分析了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r；然后，報(bào)告對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的運(yùn)行情況及產(chǎn)業(yè)鏈作了詳細(xì)分析，并重點(diǎn)介紹了功率半導(dǎo)體幾個(gè)重要的細(xì)分市場；接下來，報(bào)道對功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展情況、下游市場發(fā)展情況、國內(nèi)外重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況和項(xiàng)目投資案例進(jìn)行了詳細(xì)分析；最后，報(bào)告對功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)、未來發(fā)展機(jī)遇及前景進(jìn)行了科學(xué)合理的分析。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計(jì)局、工信部、中國海關(guān)總署、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點(diǎn)刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實(shí)、豐富，同時(shí)通過專業(yè)的分析預(yù)測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測。您或貴單位若想對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)深入的了解、或者想投資功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，本報(bào)告將是您不可或缺的重要參考工具。
報(bào)告目錄：
第一章 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概述
1.1 半導(dǎo)體相關(guān)介紹
1.1.1 半導(dǎo)體的定義
1.1.2 半導(dǎo)體的分類
1.1.3 半導(dǎo)體的應(yīng)用
1.2 功率半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.2.1 功率半導(dǎo)體介紹
1.2.2 功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史
1.2.3 功率半導(dǎo)體性能要求
1.3 功率半導(dǎo)體分類情況
1.3.1 主要種類
1.3.2 MOSFET
1.3.3 IGBT
1.3.4 整流管
1.3.5 晶閘管
第二章 2020-2024年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
2.1 2020-2024年全球半導(dǎo)體市場總體分析
2.1.1 市場銷售規(guī)模
2.1.2 收入增長結(jié)構(gòu)
2.1.3 產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入
2.1.4 區(qū)域市場格局
2.1.5 市場競爭格局
2.1.6 市場規(guī)模預(yù)測
2.2 中國半導(dǎo)體行業(yè)政策驅(qū)動(dòng)因素分析
2.2.1 相關(guān)政策匯總
2.2.2 《中國制造2024》相關(guān)政策
2.2.3 集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策
2.2.4 集成電路企業(yè)稅收政策
2.2.5 國家產(chǎn)業(yè)基金發(fā)展支持
2.3 2020-2024年中國半導(dǎo)體市場運(yùn)行狀況
2.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
2.3.2 產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模
2.3.3 區(qū)域分布情況
2.3.4 自主創(chuàng)新發(fā)展
2.3.5 發(fā)展機(jī)會(huì)分析
2.4 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
2.4.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板
2.4.2 技術(shù)發(fā)展壁壘
2.4.3 貿(mào)易摩擦影響
2.4.4 市場壟斷困境
2.5 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議分析
2.5.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略
2.5.2 產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展
2.5.3 加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新
2.5.4 突破壟斷策略
第三章 2020-2024年功率半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈分析
3.1 功率半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析
3.1.1 價(jià)值鏈核心環(huán)節(jié)
3.1.2 設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的發(fā)展價(jià)值
3.1.3 價(jià)值鏈競爭形勢分析
3.2 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體結(jié)構(gòu)
3.2.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖
3.2.2 相關(guān)上市公司
3.3 功率半導(dǎo)體上游領(lǐng)域分析
3.3.1 上游材料領(lǐng)域
3.3.2 上游設(shè)備領(lǐng)域
3.3.3 重點(diǎn)行業(yè)分析
3.3.4 上游相關(guān)企業(yè)
3.4 功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域分析
3.4.1 主要應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.2 創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.3 下游相關(guān)企業(yè)
第四章 2020-2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 2020-2024年全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
4.1.2 發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素
4.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
4.1.4 企業(yè)競爭格局
4.1.5 應(yīng)用領(lǐng)域狀況
4.1.6 廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
4.2 2020-2024年中國功率半導(dǎo)體政策環(huán)境分析
4.2.1 政策歷程
4.2.2 國家層面政策
4.2.3 地方層面政策
4.3 2020-2024年中國功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.3.1 行業(yè)發(fā)展歷程
4.3.2 行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.3.3 市場需求狀況
4.3.4 市場發(fā)展規(guī)模
4.3.5 進(jìn)出口狀況分析
4.3.6 區(qū)域分布狀況
4.3.7 企業(yè)研發(fā)狀況
4.3.8 產(chǎn)業(yè)投資基金
4.3.9 產(chǎn)業(yè)園區(qū)分布
4.4 中國功率半導(dǎo)體競爭格局分析
4.4.1 行業(yè)競爭層次
4.4.2 市場份額分析
4.4.3 市場集中度分析
4.4.4 企業(yè)布局及競爭力評價(jià)
4.4.5 競爭狀態(tài)總結(jié)
4.5 2020-2024年國內(nèi)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
4.5.1 碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測項(xiàng)目
4.5.2 揚(yáng)杰功率半導(dǎo)體芯片封測項(xiàng)目
4.5.3 臺芯科技大功率半導(dǎo)體IGBT模塊項(xiàng)目
4.5.4 露笑科技第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.5.5 12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.5.6 富能功率半導(dǎo)體8英寸項(xiàng)目
4.5.7 功率半導(dǎo)體陶瓷基板項(xiàng)目
4.6 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
4.6.1 行業(yè)發(fā)展困境
4.6.2 行業(yè)發(fā)展建議
第五章 2020-2024年功率半導(dǎo)體主要細(xì)分市場發(fā)展分析——MOSFET
5.1 MOSFET產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
5.1.1 MOSFET主要類型
5.1.2 MOSFET發(fā)展歷程
5.1.3 MOSFET產(chǎn)品介紹
5.2 2020-2024年MOSFET市場發(fā)展?fàn)顩r分析
5.2.1 行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.2.2 市場發(fā)展規(guī)模
5.2.3 市場競爭格局
5.2.4 企業(yè)競爭優(yōu)勢
5.2.5 價(jià)格變動(dòng)影響
5.3 MOSFET產(chǎn)業(yè)分層次發(fā)展情況分析
5.3.1 分層情況
5.3.2 低端層次
5.3.3 中端層次
5.3.4 高端層次
5.3.5 對比分析
5.4 MOSFET主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.4.1 應(yīng)用領(lǐng)域介紹
5.4.2 下游行業(yè)分析
5.4.3 需求動(dòng)力分析
5.5 MOSFET市場前景展望及趨勢分析
5.5.1 市場發(fā)展前景
5.5.2 行業(yè)發(fā)展趨勢
第六章 2020-2024年功率半導(dǎo)體主要細(xì)分市場發(fā)展分析——IGBT
6.1 2020-2024年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
6.1.2 市場發(fā)展規(guī)模
6.1.3 市場競爭格局
6.1.4 下游應(yīng)用占比
6.2 2020-2024年中國IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.2.1 市場發(fā)展規(guī)模
6.2.2 商業(yè)模式分析
6.2.3 技術(shù)發(fā)展水平
6.2.4 專利申請狀況
6.2.5 應(yīng)用領(lǐng)域分布
6.3 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
6.3.1 國際IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)分布
6.3.2 國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)分析
6.3.3 國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈配套問題
6.4 IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.4.1 工業(yè)控制領(lǐng)域
6.4.2 家電領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.3 新能源發(fā)電領(lǐng)域
6.4.4 新能源汽車
6.4.5 軌道交通
6.5 IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇及前景展望
6.5.1 國產(chǎn)發(fā)展機(jī)遇
6.5.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
6.5.3 發(fā)展前景展望
第七章 2020-2024年功率半導(dǎo)體新興細(xì)分市場發(fā)展分析
7.1 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體
7.1.1 產(chǎn)品優(yōu)勢分析
7.1.2 市場發(fā)展歷程
7.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
7.1.4 企業(yè)競爭格局
7.1.5 下游市場應(yīng)用
7.1.6 產(chǎn)品技術(shù)挑戰(zhàn)
7.1.7 未來發(fā)展展望
7.2 氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體
7.2.1 產(chǎn)品優(yōu)勢分析
7.2.2 產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
7.2.3 市場競爭格局
7.2.4 應(yīng)用領(lǐng)域分布
7.2.5 發(fā)展前景展望
第八章 2020-2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展分析
8.1 功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展概況
8.1.1 技術(shù)演進(jìn)方式
8.1.2 技術(shù)演變歷程
8.1.3 技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2 2020-2024年國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1 新型產(chǎn)品發(fā)展
8.2.2 區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.3 車規(guī)級技術(shù)發(fā)展
8.3 功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)專利申請狀況
8.3.1 專利申請概況
8.3.2 專利技術(shù)分析
8.3.3 專利申請人分析
8.3.4 技術(shù)創(chuàng)新熱點(diǎn)
8.4 IGBT技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)分析
8.4.1 封裝技術(shù)分析
8.4.2 車用技術(shù)要求
8.4.3 技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
8.5 車規(guī)級IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
8.5.1 技術(shù)難題與挑戰(zhàn)
8.5.2 車規(guī)級IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
8.5.3 車規(guī)級IGBT技術(shù)解決方案
8.6 車規(guī)級功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢分析
8.6.1 精細(xì)化技術(shù)
8.6.2 超結(jié)IGBT技術(shù)
8.6.3 高結(jié)溫終端技術(shù)
8.6.4 先進(jìn)封裝技術(shù)
8.6.5 功能集成技術(shù)
第九章 2020-2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
9.1 消費(fèi)電子領(lǐng)域
9.1.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模
9.1.2 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成效
9.1.3 應(yīng)用潛力分析
9.2 傳統(tǒng)汽車電子領(lǐng)域
9.2.1 產(chǎn)業(yè)相關(guān)概述
9.2.2 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
9.2.3 市場發(fā)展規(guī)模
9.2.4 行業(yè)發(fā)展趨勢
9.2.5 應(yīng)用潛力分析
9.3 新能源汽車領(lǐng)域
9.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
9.3.2 器件應(yīng)用情況
9.3.3 應(yīng)用潛力分析
9.3.4 應(yīng)用價(jià)值對比
9.3.5 市場空間預(yù)測
9.4 工業(yè)控制領(lǐng)域
9.4.1 驅(qū)動(dòng)因素分析
9.4.2 市場發(fā)展規(guī)模
9.4.3 核心領(lǐng)域發(fā)展
9.4.4 市場競爭格局
9.4.5 未來發(fā)展展望
9.5 家用電器領(lǐng)域
9.5.1 家電行業(yè)發(fā)展階段
9.5.2 家電行業(yè)運(yùn)行規(guī)模
9.5.3 變頻家電應(yīng)用需求
9.5.4 變頻家電應(yīng)用前景
9.6 其他應(yīng)用領(lǐng)域
9.6.1 物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
9.6.2 新能源發(fā)電領(lǐng)域
第十章 2020-2024年國外功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營分析
10.1 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2 產(chǎn)品發(fā)展路線
10.1.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.5 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)（ROHM Semiconductor）
10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3 安森美半導(dǎo)體（On Semiconductor）
10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics N.V.）
10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5 德州儀器（Texas Instruments）
10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.3 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6 高通（QUALCOMM, Inc.）
10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第十一章 2020-2024年中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營分析
11.1 吉林華微電子股份有限公司
11.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2 經(jīng)營效益分析
11.1.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.1.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.1.5 核心競爭力分析
11.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.1.7 未來前景展望
11.2 湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
11.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2 經(jīng)營效益分析
11.2.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.2.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.2.5 核心競爭力分析
11.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.2.7 未來前景展望
11.3 杭州士蘭微電子股份有限公司
11.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2 經(jīng)營效益分析
11.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.3.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.3.5 核心競爭力分析
11.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.4 江蘇捷捷微電子股份有限公司
11.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2 經(jīng)營效益分析
11.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.4.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.4.5 核心競爭力分析
11.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.4.7 未來前景展望
11.5 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
11.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.5.2 經(jīng)營效益分析
11.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.5.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.5.5 核心競爭力分析
11.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.5.7 未來前景展望
第十二章 中國功率半導(dǎo)體行業(yè)典型項(xiàng)目投資建設(shè)深度解析
12.1 超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測項(xiàng)目
12.1.1 項(xiàng)目基本概況
12.1.2 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度
12.1.3 項(xiàng)目投資概算
12.1.4 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.1.5 項(xiàng)目可行性分析
12.2 華潤微功率半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目
12.2.1 項(xiàng)目基本概況
12.2.2 項(xiàng)目實(shí)施規(guī)劃
12.2.3 項(xiàng)目投資必要性
12.2.4 項(xiàng)目投資可行性
12.3 功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
12.3.1 項(xiàng)目基本概況
12.3.2 項(xiàng)目投資概算
12.3.3 項(xiàng)目投資規(guī)劃
12.3.4 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.3.5 項(xiàng)目投資必要性
12.3.6 項(xiàng)目投資可行性
12.4 嘉興斯達(dá)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
12.4.1 項(xiàng)目基本概況
12.4.2 項(xiàng)目投資計(jì)劃
12.4.3 項(xiàng)目投資必要性
12.4.4 項(xiàng)目投資可行性
第十三章 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資潛力分析
13.1 中國功率半導(dǎo)體投融資狀況
13.1.1 投融資事件數(shù)
13.1.2 投融資輪次分布
13.1.3 投融資區(qū)域分布
13.1.4 投融資產(chǎn)品分布
13.1.5 投資主體分布
13.1.6 投融資總結(jié)
13.2 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘
13.2.1 技術(shù)壁壘
13.2.2 人才壁壘
13.2.3 資金壁壘
13.2.4 認(rèn)證壁壘
13.3 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
13.3.1 宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.3.2 政策導(dǎo)向變化風(fēng)險(xiǎn)
13.3.3 中美貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)
13.3.4 國際市場競爭風(fēng)險(xiǎn)
13.3.5 技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
13.3.6 行業(yè)利潤變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.4 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資邏輯及建議
13.4.1 投資邏輯分析
13.4.2 投資方向建議
13.4.3 企業(yè)投資建議
第十四章 2025-2031年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇及前景展望
14.1 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇分析
14.1.1 行業(yè)發(fā)展機(jī)遇總析
14.1.2 進(jìn)口替代機(jī)遇分析
14.1.3 能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機(jī)遇
14.1.4 終端應(yīng)用升級機(jī)遇
14.1.5 工業(yè)市場應(yīng)用機(jī)遇
14.1.6 汽車市場應(yīng)用機(jī)遇
14.2 功率半導(dǎo)體未來需求應(yīng)用場景
14.2.1 清潔能源行業(yè)的發(fā)展
14.2.2 新能源汽車行業(yè)的發(fā)展
14.2.3 物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展
14.3 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
14.3.1 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢
14.3.2 晶圓供不應(yīng)求
14.4 2025-2031年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
14.4.1 2025-2031年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析
14.4.2 2025-2031年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模預(yù)測
圖表目錄
圖表1 半導(dǎo)體分類結(jié)構(gòu)圖
圖表2 半導(dǎo)體分類
圖表3 半導(dǎo)體分類及應(yīng)用
圖表4 功率半導(dǎo)體在半導(dǎo)體生態(tài)中的位置及產(chǎn)品范圍
圖表5 功率半導(dǎo)體器件的工作范圍
圖表6 手機(jī)中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用示意圖
圖表7 功率半導(dǎo)體性能要求
圖表8 功率半導(dǎo)體主要性能指標(biāo)
圖表9 功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品種類
圖表10 MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表11 IGBT內(nèi)線結(jié)構(gòu)及簡化的等效電路圖
圖表12 2020-2024年全球半導(dǎo)體月度收入及增速
圖表13 2020-2024年全球半導(dǎo)體市場銷售總額
圖表14 2024年全球半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)
圖表15 2020-2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出及預(yù)測
圖表16 2024年全球各地區(qū)半導(dǎo)體銷售額及增長情況
圖表17 2024年全球半導(dǎo)體廠商營收排名
圖表18 半導(dǎo)體行業(yè)主要的法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策
圖表19 《中國制造2024》半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表20 2025-2031年IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表21 《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)展目標(biāo)
圖表22 一期大基金投資各領(lǐng)域份額占比
圖表23 一期大基金投資領(lǐng)域及部分企業(yè)
圖表24 國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展階段
圖表25 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要
圖表26 2020-2024年中國半導(dǎo)體銷售額
圖表27 2020-2024年各地區(qū)集成電路產(chǎn)量情況
圖表28 2024年我國集成電路產(chǎn)量前十地區(qū)
圖表29 2024年我國集成電路產(chǎn)量
圖表30 功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封測環(huán)節(jié)的主要作用
功率半導(dǎo)體的作用是提供設(shè)備所需電能并保證電能的良好狀態(tài)，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源交通、軌道交通、發(fā)電與配電等電力電子領(lǐng)域。2024年汽車、消費(fèi)類電子等抑制性需求釋放將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場整體迎來復(fù)蘇，隨著疫情后企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)有序開展，初步核算2024年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)�；蚍磸椫�183億美元，同比增長6.3%。從市場競爭看，我國功率半導(dǎo)體行業(yè)整體市場集中度在不斷提高，CR5由2024年為22.05%增長至2024年的29.58%，國內(nèi)頭部代表企業(yè)規(guī)模在不斷擴(kuò)大，市場競爭優(yōu)勢愈發(fā)明顯。近年來，我國功率半導(dǎo)體制造進(jìn)出口貿(mào)易情況總體較好。2020-2024年進(jìn)出口總額呈波動(dòng)上升態(tài)勢，2024年為309.44億美元，較2024年增長27.88%。其中，進(jìn)口金額為18.35億美元，出口金額為12.59億美元，貿(mào)易逆差為5.76億美元。
未來，隨著折舊帶來的替換市場、電氣化程度加深帶來的新增市場以及供需格局帶來的價(jià)格增長，功率半導(dǎo)體的發(fā)展空間十分廣闊。此外，隨著我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成熟度的增加，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從海外轉(zhuǎn)移到大陸的趨勢非常明朗，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商將迎來黃金布局時(shí)期。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國功率半導(dǎo)體市場深度研究與戰(zhàn)略咨詢報(bào)告》共十四章。首先介紹了功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的相關(guān)概念、發(fā)展歷史及分類情況，接著分析了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r；然后，報(bào)告對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的運(yùn)行情況及產(chǎn)業(yè)鏈作了詳細(xì)分析，并重點(diǎn)介紹了功率半導(dǎo)體幾個(gè)重要的細(xì)分市場；接下來，報(bào)道對功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展情況、下游市場發(fā)展情況、國內(nèi)外重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況和項(xiàng)目投資案例進(jìn)行了詳細(xì)分析；最后，報(bào)告對功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)、未來發(fā)展機(jī)遇及前景進(jìn)行了科學(xué)合理的分析。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計(jì)局、工信部、中國海關(guān)總署、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點(diǎn)刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實(shí)、豐富，同時(shí)通過專業(yè)的分析預(yù)測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測。您或貴單位若想對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)深入的了解、或者想投資功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，本報(bào)告將是您不可或缺的重要參考工具。
報(bào)告目錄：
第一章 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概述
1.1 半導(dǎo)體相關(guān)介紹
1.1.1 半導(dǎo)體的定義
1.1.2 半導(dǎo)體的分類
1.1.3 半導(dǎo)體的應(yīng)用
1.2 功率半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.2.1 功率半導(dǎo)體介紹
1.2.2 功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史
1.2.3 功率半導(dǎo)體性能要求
1.3 功率半導(dǎo)體分類情況
1.3.1 主要種類
1.3.2 MOSFET
1.3.3 IGBT
1.3.4 整流管
1.3.5 晶閘管
第二章 2020-2024年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
2.1 2020-2024年全球半導(dǎo)體市場總體分析
2.1.1 市場銷售規(guī)模
2.1.2 收入增長結(jié)構(gòu)
2.1.3 產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入
2.1.4 區(qū)域市場格局
2.1.5 市場競爭格局
2.1.6 市場規(guī)模預(yù)測
2.2 中國半導(dǎo)體行業(yè)政策驅(qū)動(dòng)因素分析
2.2.1 相關(guān)政策匯總
2.2.2 《中國制造2024》相關(guān)政策
2.2.3 集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策
2.2.4 集成電路企業(yè)稅收政策
2.2.5 國家產(chǎn)業(yè)基金發(fā)展支持
2.3 2020-2024年中國半導(dǎo)體市場運(yùn)行狀況
2.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
2.3.2 產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模
2.3.3 區(qū)域分布情況
2.3.4 自主創(chuàng)新發(fā)展
2.3.5 發(fā)展機(jī)會(huì)分析
2.4 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
2.4.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板
2.4.2 技術(shù)發(fā)展壁壘
2.4.3 貿(mào)易摩擦影響
2.4.4 市場壟斷困境
2.5 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議分析
2.5.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略
2.5.2 產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展
2.5.3 加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新
2.5.4 突破壟斷策略
第三章 2020-2024年功率半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈分析
3.1 功率半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析
3.1.1 價(jià)值鏈核心環(huán)節(jié)
3.1.2 設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的發(fā)展價(jià)值
3.1.3 價(jià)值鏈競爭形勢分析
3.2 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體結(jié)構(gòu)
3.2.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖
3.2.2 相關(guān)上市公司
3.3 功率半導(dǎo)體上游領(lǐng)域分析
3.3.1 上游材料領(lǐng)域
3.3.2 上游設(shè)備領(lǐng)域
3.3.3 重點(diǎn)行業(yè)分析
3.3.4 上游相關(guān)企業(yè)
3.4 功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域分析
3.4.1 主要應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.2 創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.3 下游相關(guān)企業(yè)
第四章 2020-2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 2020-2024年全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
4.1.2 發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素
4.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
4.1.4 企業(yè)競爭格局
4.1.5 應(yīng)用領(lǐng)域狀況
4.1.6 廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
4.2 2020-2024年中國功率半導(dǎo)體政策環(huán)境分析
4.2.1 政策歷程
4.2.2 國家層面政策
4.2.3 地方層面政策
4.3 2020-2024年中國功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.3.1 行業(yè)發(fā)展歷程
4.3.2 行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.3.3 市場需求狀況
4.3.4 市場發(fā)展規(guī)模
4.3.5 進(jìn)出口狀況分析
4.3.6 區(qū)域分布狀況
4.3.7 企業(yè)研發(fā)狀況
4.3.8 產(chǎn)業(yè)投資基金
4.3.9 產(chǎn)業(yè)園區(qū)分布
4.4 中國功率半導(dǎo)體競爭格局分析
4.4.1 行業(yè)競爭層次
4.4.2 市場份額分析
4.4.3 市場集中度分析
4.4.4 企業(yè)布局及競爭力評價(jià)
4.4.5 競爭狀態(tài)總結(jié)
4.5 2020-2024年國內(nèi)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
4.5.1 碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測項(xiàng)目
4.5.2 揚(yáng)杰功率半導(dǎo)體芯片封測項(xiàng)目
4.5.3 臺芯科技大功率半導(dǎo)體IGBT模塊項(xiàng)目
4.5.4 露笑科技第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.5.5 12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.5.6 富能功率半導(dǎo)體8英寸項(xiàng)目
4.5.7 功率半導(dǎo)體陶瓷基板項(xiàng)目
4.6 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
4.6.1 行業(yè)發(fā)展困境
4.6.2 行業(yè)發(fā)展建議
第五章 2020-2024年功率半導(dǎo)體主要細(xì)分市場發(fā)展分析——MOSFET
5.1 MOSFET產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
5.1.1 MOSFET主要類型
5.1.2 MOSFET發(fā)展歷程
5.1.3 MOSFET產(chǎn)品介紹
5.2 2020-2024年MOSFET市場發(fā)展?fàn)顩r分析
5.2.1 行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.2.2 市場發(fā)展規(guī)模
5.2.3 市場競爭格局
5.2.4 企業(yè)競爭優(yōu)勢
5.2.5 價(jià)格變動(dòng)影響
5.3 MOSFET產(chǎn)業(yè)分層次發(fā)展情況分析
5.3.1 分層情況
5.3.2 低端層次
5.3.3 中端層次
5.3.4 高端層次
5.3.5 對比分析
5.4 MOSFET主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.4.1 應(yīng)用領(lǐng)域介紹
5.4.2 下游行業(yè)分析
5.4.3 需求動(dòng)力分析
5.5 MOSFET市場前景展望及趨勢分析
5.5.1 市場發(fā)展前景
5.5.2 行業(yè)發(fā)展趨勢
第六章 2020-2024年功率半導(dǎo)體主要細(xì)分市場發(fā)展分析——IGBT
6.1 2020-2024年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
6.1.2 市場發(fā)展規(guī)模
6.1.3 市場競爭格局
6.1.4 下游應(yīng)用占比
6.2 2020-2024年中國IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.2.1 市場發(fā)展規(guī)模
6.2.2 商業(yè)模式分析
6.2.3 技術(shù)發(fā)展水平
6.2.4 專利申請狀況
6.2.5 應(yīng)用領(lǐng)域分布
6.3 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
6.3.1 國際IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)分布
6.3.2 國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)分析
6.3.3 國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈配套問題
6.4 IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.4.1 工業(yè)控制領(lǐng)域
6.4.2 家電領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.3 新能源發(fā)電領(lǐng)域
6.4.4 新能源汽車
6.4.5 軌道交通
6.5 IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇及前景展望
6.5.1 國產(chǎn)發(fā)展機(jī)遇
6.5.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
6.5.3 發(fā)展前景展望
第七章 2020-2024年功率半導(dǎo)體新興細(xì)分市場發(fā)展分析
7.1 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體
7.1.1 產(chǎn)品優(yōu)勢分析
7.1.2 市場發(fā)展歷程
7.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
7.1.4 企業(yè)競爭格局
7.1.5 下游市場應(yīng)用
7.1.6 產(chǎn)品技術(shù)挑戰(zhàn)
7.1.7 未來發(fā)展展望
7.2 氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體
7.2.1 產(chǎn)品優(yōu)勢分析
7.2.2 產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
7.2.3 市場競爭格局
7.2.4 應(yīng)用領(lǐng)域分布
7.2.5 發(fā)展前景展望
第八章 2020-2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展分析
8.1 功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展概況
8.1.1 技術(shù)演進(jìn)方式
8.1.2 技術(shù)演變歷程
8.1.3 技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2 2020-2024年國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1 新型產(chǎn)品發(fā)展
8.2.2 區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.3 車規(guī)級技術(shù)發(fā)展
8.3 功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)專利申請狀況
8.3.1 專利申請概況
8.3.2 專利技術(shù)分析
8.3.3 專利申請人分析
8.3.4 技術(shù)創(chuàng)新熱點(diǎn)
8.4 IGBT技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)分析
8.4.1 封裝技術(shù)分析
8.4.2 車用技術(shù)要求
8.4.3 技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
8.5 車規(guī)級IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
8.5.1 技術(shù)難題與挑戰(zhàn)
8.5.2 車規(guī)級IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
8.5.3 車規(guī)級IGBT技術(shù)解決方案
8.6 車規(guī)級功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢分析
8.6.1 精細(xì)化技術(shù)
8.6.2 超結(jié)IGBT技術(shù)
8.6.3 高結(jié)溫終端技術(shù)
8.6.4 先進(jìn)封裝技術(shù)
8.6.5 功能集成技術(shù)
第九章 2020-2024年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
9.1 消費(fèi)電子領(lǐng)域
9.1.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模
9.1.2 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成效
9.1.3 應(yīng)用潛力分析
9.2 傳統(tǒng)汽車電子領(lǐng)域
9.2.1 產(chǎn)業(yè)相關(guān)概述
9.2.2 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
9.2.3 市場發(fā)展規(guī)模
9.2.4 行業(yè)發(fā)展趨勢
9.2.5 應(yīng)用潛力分析
9.3 新能源汽車領(lǐng)域
9.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
9.3.2 器件應(yīng)用情況
9.3.3 應(yīng)用潛力分析
9.3.4 應(yīng)用價(jià)值對比
9.3.5 市場空間預(yù)測
9.4 工業(yè)控制領(lǐng)域
9.4.1 驅(qū)動(dòng)因素分析
9.4.2 市場發(fā)展規(guī)模
9.4.3 核心領(lǐng)域發(fā)展
9.4.4 市場競爭格局
9.4.5 未來發(fā)展展望
9.5 家用電器領(lǐng)域
9.5.1 家電行業(yè)發(fā)展階段
9.5.2 家電行業(yè)運(yùn)行規(guī)模
9.5.3 變頻家電應(yīng)用需求
9.5.4 變頻家電應(yīng)用前景
9.6 其他應(yīng)用領(lǐng)域
9.6.1 物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
9.6.2 新能源發(fā)電領(lǐng)域
第十章 2020-2024年國外功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營分析
10.1 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2 產(chǎn)品發(fā)展路線
10.1.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.5 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)（ROHM Semiconductor）
10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3 安森美半導(dǎo)體（On Semiconductor）
10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics N.V.）
10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5 德州儀器（Texas Instruments）
10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.3 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6 高通（QUALCOMM, Inc.）
10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.3 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.4 2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第十一章 2020-2024年中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營分析
11.1 吉林華微電子股份有限公司
11.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2 經(jīng)營效益分析
11.1.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.1.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.1.5 核心競爭力分析
11.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.1.7 未來前景展望
11.2 湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
11.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2 經(jīng)營效益分析
11.2.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.2.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.2.5 核心競爭力分析
11.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.2.7 未來前景展望
11.3 杭州士蘭微電子股份有限公司
11.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2 經(jīng)營效益分析
11.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.3.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.3.5 核心競爭力分析
11.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.4 江蘇捷捷微電子股份有限公司
11.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2 經(jīng)營效益分析
11.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.4.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.4.5 核心競爭力分析
11.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.4.7 未來前景展望
11.5 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
11.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.5.2 經(jīng)營效益分析
11.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.5.4 財(cái)務(wù)狀況分析
11.5.5 核心競爭力分析
11.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.5.7 未來前景展望
第十二章 中國功率半導(dǎo)體行業(yè)典型項(xiàng)目投資建設(shè)深度解析
12.1 超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測項(xiàng)目
12.1.1 項(xiàng)目基本概況
12.1.2 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度
12.1.3 項(xiàng)目投資概算
12.1.4 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.1.5 項(xiàng)目可行性分析
12.2 華潤微功率半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目
12.2.1 項(xiàng)目基本概況
12.2.2 項(xiàng)目實(shí)施規(guī)劃
12.2.3 項(xiàng)目投資必要性
12.2.4 項(xiàng)目投資可行性
12.3 功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
12.3.1 項(xiàng)目基本概況
12.3.2 項(xiàng)目投資概算
12.3.3 項(xiàng)目投資規(guī)劃
12.3.4 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.3.5 項(xiàng)目投資必要性
12.3.6 項(xiàng)目投資可行性
12.4 嘉興斯達(dá)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
12.4.1 項(xiàng)目基本概況
12.4.2 項(xiàng)目投資計(jì)劃
12.4.3 項(xiàng)目投資必要性
12.4.4 項(xiàng)目投資可行性
第十三章 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資潛力分析
13.1 中國功率半導(dǎo)體投融資狀況
13.1.1 投融資事件數(shù)
13.1.2 投融資輪次分布
13.1.3 投融資區(qū)域分布
13.1.4 投融資產(chǎn)品分布
13.1.5 投資主體分布
13.1.6 投融資總結(jié)
13.2 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘
13.2.1 技術(shù)壁壘
13.2.2 人才壁壘
13.2.3 資金壁壘
13.2.4 認(rèn)證壁壘
13.3 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
13.3.1 宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.3.2 政策導(dǎo)向變化風(fēng)險(xiǎn)
13.3.3 中美貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)
13.3.4 國際市場競爭風(fēng)險(xiǎn)
13.3.5 技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
13.3.6 行業(yè)利潤變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.4 功率半導(dǎo)體行業(yè)投資邏輯及建議
13.4.1 投資邏輯分析
13.4.2 投資方向建議
13.4.3 企業(yè)投資建議
第十四章 2025-2031年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇及前景展望
14.1 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇分析
14.1.1 行業(yè)發(fā)展機(jī)遇總析
14.1.2 進(jìn)口替代機(jī)遇分析
14.1.3 能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機(jī)遇
14.1.4 終端應(yīng)用升級機(jī)遇
14.1.5 工業(yè)市場應(yīng)用機(jī)遇
14.1.6 汽車市場應(yīng)用機(jī)遇
14.2 功率半導(dǎo)體未來需求應(yīng)用場景
14.2.1 清潔能源行業(yè)的發(fā)展
14.2.2 新能源汽車行業(yè)的發(fā)展
14.2.3 物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展
14.3 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
14.3.1 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢
14.3.2 晶圓供不應(yīng)求
14.4 2025-2031年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
14.4.1 2025-2031年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析
14.4.2 2025-2031年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模預(yù)測
圖表目錄
圖表1 半導(dǎo)體分類結(jié)構(gòu)圖
圖表2 半導(dǎo)體分類
圖表3 半導(dǎo)體分類及應(yīng)用
圖表4 功率半導(dǎo)體在半導(dǎo)體生態(tài)中的位置及產(chǎn)品范圍
圖表5 功率半導(dǎo)體器件的工作范圍
圖表6 手機(jī)中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用示意圖
圖表7 功率半導(dǎo)體性能要求
圖表8 功率半導(dǎo)體主要性能指標(biāo)
圖表9 功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品種類
圖表10 MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表11 IGBT內(nèi)線結(jié)構(gòu)及簡化的等效電路圖
圖表12 2020-2024年全球半導(dǎo)體月度收入及增速
圖表13 2020-2024年全球半導(dǎo)體市場銷售總額
圖表14 2024年全球半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)
圖表15 2020-2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出及預(yù)測
圖表16 2024年全球各地區(qū)半導(dǎo)體銷售額及增長情況
圖表17 2024年全球半導(dǎo)體廠商營收排名
圖表18 半導(dǎo)體行業(yè)主要的法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策
圖表19 《中國制造2024》半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表20 2025-2031年IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表21 《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)展目標(biāo)
圖表22 一期大基金投資各領(lǐng)域份額占比
圖表23 一期大基金投資領(lǐng)域及部分企業(yè)
圖表24 國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展階段
圖表25 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要
圖表26 2020-2024年中國半導(dǎo)體銷售額
圖表27 2020-2024年各地區(qū)集成電路產(chǎn)量情況
圖表28 2024年我國集成電路產(chǎn)量前十地區(qū)
圖表29 2024年我國集成電路產(chǎn)量
圖表30 功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封測環(huán)節(jié)的主要作用
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