2008-2009年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)研究咨詢報告

    隨著以消費者為導(dǎo)向的應(yīng)用爆炸式增長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到了極大驅(qū)動。半導(dǎo)體制造與封裝越來越多地引入各種新材料，這為半導(dǎo)體材料供應(yīng)商帶來了許多商機。預(yù)測2008年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將增長4%，而全球半導(dǎo)體材料市場將增長9%，達461億美元。在區(qū)域市場部分,日本在雄厚的晶圓制造和封裝市場基礎(chǔ)下，2008年以22%的占有率成為全球最大的材料市場,而臺灣在過去四年晶圓和封裝產(chǎn)業(yè)強勁成長的帶動下,則成為第二大半導(dǎo)體材料市場。此外,總括新加坡、馬來西亞、菲律賓、其它東南亞國家,以及小型全球市場則排名第三大。而大家關(guān)注的中國市場,在產(chǎn)能陸續(xù)開出之后,成為全球成長最快的半導(dǎo)體材料市場。 
    然而，目前我國半導(dǎo)體支撐材料業(yè)的發(fā)展很不平衡，與國際高科技產(chǎn)品相比較還存在一些差距。因此，國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)應(yīng)該"苦練內(nèi)功、夯實基礎(chǔ)"，不斷提高工藝水平，加強技術(shù)創(chuàng)新力度，讓產(chǎn)品上檔次，滿足高端市場的需求。這樣才不會憂慮國外廠商大舉進入帶來的激烈競爭，更不用擔心國外先進技術(shù)帶來的巨大沖擊，反而可以吸引更多的大型廠商進入國內(nèi)市場，形成一種良好的競爭機制與環(huán)境，促進半導(dǎo)體材料市場的健康發(fā)展以及國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)的技術(shù)進步與產(chǎn)業(yè)升級。與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上其他環(huán)節(jié)相比，國家對半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的支持相對較弱，業(yè)界在不斷呼吁，相關(guān)政策應(yīng)盡快延伸到材料業(yè)。 
    在消費電子與綠色能源需求的推動下，新型半導(dǎo)體材料將更多地在生產(chǎn)中得到應(yīng)用，新材料的使用同時也是降低成本的需求。此外，新的工藝技術(shù)也會對材料提出新的要求。預(yù)計到2010年或2014年，硅材料的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展將走向極限，第二代和第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)將成為研究和發(fā)展的重點。政府決策部門、半導(dǎo)體科研單位和企業(yè)在現(xiàn)有的技術(shù)、市場和發(fā)展趨勢面前應(yīng)把握歷史機遇，迎接挑戰(zhàn)。 
    本研究咨詢報告主要依據(jù)了國家統(tǒng)計局、國家發(fā)改委、國家商務(wù)部、國家工業(yè)和信息化部、國務(wù)院發(fā)展研究中心、國家海關(guān)總署、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)協(xié)會、中國電子元件行業(yè)協(xié)會、 國內(nèi)外多種相關(guān)報刊雜志的基礎(chǔ)信息以及專業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料。本報告對國內(nèi)外半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展狀況進行了深入透徹地研究，對我國半導(dǎo)體材料主要市場發(fā)展情況、投資機會作了詳盡分析。報告重點分析了下游半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況，報告還對國內(nèi)重點半導(dǎo)體材料企業(yè)及未來半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢進行了分析，是半導(dǎo)體材料及相關(guān)制造企業(yè)、投資部門、研究機構(gòu)準確了解目前中國市場發(fā)展動態(tài)，把握半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展方向，為企業(yè)經(jīng)營決策提供重要參考的依據(jù)。

 
第一部分 行業(yè)發(fā)展概述
第一章 半導(dǎo)體材料概述 1
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料的概述 1
一、半導(dǎo)體材料的定義 1
二、半導(dǎo)體材料的分類 2
三、半導(dǎo)體材料的特點 3
四、化合物半導(dǎo)體材料介紹 4
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料特性和制備 6
一、半導(dǎo)體材料特性和參數(shù) 6
二、半導(dǎo)體材料制備 7

第二章 世界半導(dǎo)體材料市場分析 9
第一節(jié) 世界總體市場概況 9
一、全球半導(dǎo)體材料的進展分析 9
二、全球半導(dǎo)體材料市場發(fā)展現(xiàn)狀 11
三、第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵發(fā)展概況 12
四、第三代半導(dǎo)體材料GaN發(fā)展概況 13
第二節(jié) 北美半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 14
一、北美半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場 14
二、美國新半導(dǎo)體材料開發(fā)分析 16
三、美國道康寧在半導(dǎo)體材料方面的研究進展 17
四、2011年美國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展預(yù)測 19
第三節(jié) 亞洲半導(dǎo)體材料發(fā)展 20
一、日本半導(dǎo)體新材料分析 20
二、韓國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分析 20
三、臺灣半導(dǎo)體材料市場分析 22
第四節(jié) 世界半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢 23
一、世界半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢 23
二、2008年全球半導(dǎo)體材料市場分析 30
三、2011年世界半導(dǎo)體封裝材料發(fā)展預(yù)測 31

第二部分 行業(yè)現(xiàn)狀及主要產(chǎn)品發(fā)展分析
第三章 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 33
第一節(jié) 行業(yè)發(fā)展概況 33
一、半導(dǎo)體材料的發(fā)展概況 33
二、半導(dǎo)體封裝材料行業(yè)分析 36
三、半導(dǎo)體硅材料發(fā)展現(xiàn)狀 44
四、國內(nèi)半導(dǎo)體材料創(chuàng)新發(fā)展分析 46
五、半導(dǎo)體支撐材料發(fā)展瓶頸分析 49
第二節(jié) 中國半導(dǎo)體材料進出口狀況 53
一、2008年半導(dǎo)體材料進口分析 53
二、2008年半導(dǎo)體材料出口分析 55
第三節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展分析 57
一、新材料研發(fā)投入分析 58
二、最大半導(dǎo)體材料市場分析 58
三、新材料與新工藝需求分析 59
四、半導(dǎo)體材料競爭無線應(yīng)用領(lǐng)域 60
五、SOI技術(shù)發(fā)展分析 64
第四節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)動向及挑戰(zhàn) 67
一、銅導(dǎo)線材料 67
二、硅絕緣材料 69
三、低介電質(zhì)材料 69
四、高介電質(zhì)、應(yīng)變硅 70
五、太陽能板 71
六、無線射頻 71
七、發(fā)光二極管 72

第四章 主要半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 75
第一節(jié) 硅晶體 75
一、國內(nèi)外多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 75
二、單晶硅和外延片發(fā)展概況 82
三、中國硅晶體材料產(chǎn)業(yè)特點 84
四、我國多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析 85
五、2009-2010年多晶硅行業(yè)發(fā)展趨勢 88
第二節(jié) 砷化鎵 90
一、砷化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況 90
二、砷化鎵材料發(fā)展概況 95
三、我國砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況分析 97
四、砷化鎵產(chǎn)業(yè)需求分析 99
第三節(jié) GaN 100
一、GaN材料的特性與應(yīng)用 100
二、GaN的應(yīng)用前景 106
三、GaN市場發(fā)展現(xiàn)狀 106
四、GaN產(chǎn)業(yè)市場投資前景 107
第四節(jié) 碳化硅 109
一、碳化硅概況 109
二、碳化硅生產(chǎn)企業(yè)分析 110
三、國內(nèi)碳化硅晶體發(fā)展情況 113
四、2008-2010年碳化硅市場發(fā)展趨勢 115
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體材料 117
一、非晶半導(dǎo)體材料概況 117
二、寬禁帶氮化鎵材料發(fā)展概況 119
三、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展 123

第三部分 半導(dǎo)體行業(yè)分析
第五章 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析 131
第一節(jié) 國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 131
一、國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況 131
二、中國內(nèi)地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境分析 135
三、2008年全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展態(tài)勢分析 144
四、半導(dǎo)體企業(yè)競爭策略 157
五、2008年奧運會后的世界半導(dǎo)體市場 159
第二節(jié) 半導(dǎo)體市場發(fā)展預(yù)測 162
一、2008年中國半導(dǎo)體市場增長預(yù)測 162
二、2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測 164
三、2008-2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)測 165

第六章 主要半導(dǎo)體市場分析 168
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 168
一、全球LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況 168
二、中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況 192
三、我國半導(dǎo)體照明市場應(yīng)用情況 206
四、2008年LED產(chǎn)業(yè)資源整合分析 211
五、2008-2010年中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測 214
第二節(jié) 電子元器件市場 217
一、我國電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景分析 217
二、電子元件產(chǎn)業(yè)升級分析 221
三、2008年電子元器件收入利潤分析 224
四、2008年電子元器件市場渠道供應(yīng)趨勢分析 225
五、2010年電子元器件市場預(yù)測 232
第三節(jié) 集成電路 232
一、2008年半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)量分析 232
二、2008年中國集成電路市場運行分析 238
三、2010年集成電路產(chǎn)業(yè)的總體發(fā)展趨勢 242
四、2011年我國集成電路市場規(guī)模預(yù)測 243
五、未來集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢 244
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 246
一、2008年半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析 246
二、2008年半導(dǎo)體器件進出口分析 253
三、2008年半導(dǎo)體分立器件市場發(fā)展態(tài)勢 254
四、2008年半導(dǎo)體分立器件市場預(yù)測 254
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體市場 258
一、半導(dǎo)體氣體與化學(xué)品產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況 258
二、IC光罩市場發(fā)展概況 259

第四部分 主要廠商分析
第七章 半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商 261
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 261
一、公司概況 261
二、2008年公司經(jīng)營情況 263
三、2008年公司動態(tài) 269
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 271
一、公司概況 271
二、2008年公司經(jīng)營情況 272
三、2008年公司動態(tài) 278
第三節(jié) 峨嵋半導(dǎo)體材料廠 281
一、公司概況 281
二、公司發(fā)展成就 282
第四節(jié) 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 286
一、公司概況 286
二、2008年公司動態(tài) 288
第五節(jié) 洛陽中硅高科技有限公司 288
一、公司概況 288
二、公司技術(shù)研發(fā)分析 290
第六節(jié) 寧波立立電子股份有限公司 291
一、公司概況 291
二、公司產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā) 292
三、2008年公司動態(tài) 293
第七節(jié) 寧波康強電子股份有限公司 294
一、公司概況 294
二、2008年公司經(jīng)營情況 295
第八節(jié) 南京國盛電子有限公司 298
一、公司概況 298
二、工藝技術(shù)與產(chǎn)品 299

第五部分 行業(yè)發(fā)展趨勢及投資分析
第八章 半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢 301
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料發(fā)展預(yù)測 301
一、2008-2009年全球半導(dǎo)體材料市場成長率預(yù)測 301
二、2009-2010年化合物半導(dǎo)體材料市場預(yù)測 304
三、2010年中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景 304
四、2010年半導(dǎo)體材料銷售額預(yù)測 305
五、未來半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢 308
第二節(jié) 主要半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢 309
一、硅材料 309
二、GaAs和InP單晶材料 310
三、半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料 310
四、一維量子線、零維量子點半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料 313
五、寬帶隙半導(dǎo)體材料 314
六、光子晶體 316
七、量子比特構(gòu)建與材料 316

第九章 半導(dǎo)體材料投資及建議分析 318
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料投資市場分析 318
一、國內(nèi)企業(yè)投資多晶硅形勢分析 318
二、2008年全球半導(dǎo)體投資市場分析 320
三、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資模式變革分析 321
四、半導(dǎo)體領(lǐng)域風(fēng)險投資困境分析 324
五、半導(dǎo)體新材料表征面臨的挑戰(zhàn) 324
六、半導(dǎo)體玻璃應(yīng)用前景分析 330
第二節(jié) 2008年中國半導(dǎo)體行業(yè)投資分析 332
一、2008年中國半導(dǎo)體投資風(fēng)險 332
二、2008年中國半導(dǎo)體業(yè)機會 332
三、2008-2009年中國半導(dǎo)體投資預(yù)測 333
第三節(jié) 發(fā)展我國半導(dǎo)體材料的建議 334
一、硅單晶和外延材料 334
二、GaAs及其有關(guān)化合物半導(dǎo)體單晶材料發(fā)展建議 334
三、發(fā)展超晶格、零維半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料建議 334


圖表目錄
圖表：元素半導(dǎo)體的性質(zhì)與結(jié)構(gòu) 4
圖表：Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 5
圖表：Ⅱ-Ⅵ化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 5
圖表：部分二元化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 5
圖表：CZT薄膜的能隙Eg與組分的關(guān)系 6
圖表：半導(dǎo)體用材料的定義及范圍 9
圖表：2006-2009年全球電子級硅片總消耗量預(yù)測 10
圖表：2006-2008年管芯制造材料預(yù)測 11
圖表：2005年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模 11
圖表：2008-2009年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模預(yù)測 15
圖表：2000-2007年全球Fab產(chǎn)能分布的變化 23
圖表：2007年半導(dǎo)體材料市場分布統(tǒng)計 24
圖表：High-k/metalgate材料技術(shù)的演進發(fā)展 25
圖表：Dualmetal與Dualhigh-k的比較 26
圖表：藉由電極矩改變Gate的功函數(shù) 28
圖表：在金屬閘極中添加不純物 28
圖表：主要半導(dǎo)體材料的比較 34
圖表：半導(dǎo)體材料的主要用途 35
圖表：2001-2005年中國半導(dǎo)體封裝材料市場規(guī)模及增長 36
圖表：2005年中國半導(dǎo)體封裝材料市場結(jié)構(gòu) 37
圖表：2005年國內(nèi)半導(dǎo)體引線框架制造企業(yè)產(chǎn)能分布及市場份額 39
圖表：2005年國內(nèi)金絲生產(chǎn)企業(yè)市場份額 40
圖表：現(xiàn)代微電子工業(yè)對硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求 46
圖表：2008年1月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 53
圖表：2008年2月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 53
圖表：2008年3月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 53
圖表：2008年1季度全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 53
圖表：2008年4月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 54
圖表：2008年5月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 54
圖表：2008年6月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 54
圖表：2008年2季度全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 54
圖表：2008年7月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 54
圖表：2008年8月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 55
圖表：2008年1-8月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體進口分析 55
圖表：2008年1月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 55
圖表：2008年2月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 55
圖表：2008年3月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 55
圖表：2008年1季度全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 56
圖表：2008年4月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 56
圖表：2008年5月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 56
圖表：2008年6月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 56
圖表：2008年2季度全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 56
圖表：2008年7月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 57
圖表：2008年8月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 57
圖表：2008年1-8月全國半導(dǎo)體器件和已裝配的壓電晶體出口分析 57
圖表：1998年IBM公司使用自有的CMOS7S制程技術(shù)來產(chǎn)制的芯片 68
圖表：High-k材料與SiO2材料比較 70
圖表：德國西門子公司用單晶硅材料制成的太陽能基板 71
圖表：常見的LED發(fā)光材料 72
圖表：紅光LED的照射使植物（農(nóng)作物）增長圖 73
圖表：2002-2010年全球及中國太陽能級多晶硅需求量統(tǒng)計及預(yù)測 76
圖表：2005-2010年全球太陽能電池產(chǎn)量統(tǒng)計與預(yù)測 77
圖表：2005年世界主要多晶硅生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)能及生產(chǎn)情況 78
圖表：2003-2006年國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)產(chǎn)量趨勢圖 79
圖表：多晶硅質(zhì)量指標 81
圖表：砷化鎵與硅的組件特性比較 90
圖表：砷化鎵微波三種元件結(jié)構(gòu)之特性的比較 91
圖表：砷化鎵產(chǎn)業(yè)上下游關(guān)聯(lián)圖 93
圖表：砷化鎵微波組件的商業(yè)運用 94
圖表：GaAs單晶生產(chǎn)方法比較 95
圖表：世界GaAs單晶主要生產(chǎn)廠家 96
圖表：釬鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性 100
圖表：雙氣流MOCVD生長GaN裝置 103
圖表：GaN基器件與CaAs及SiC器件的性能比較 104
圖表：以發(fā)光效率為標志的LED發(fā)展歷程 104
圖表：不同碳化硅類型情況簡介 109
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)及應(yīng)用前景情況 110
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)情況 111
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)工藝 112
圖表：SiC器件的研究概表 120
圖表：非晶型氧化銦鎵鋅材料系統(tǒng)組成比例(右)與電子遷移率(左) 124
圖表：五種基本的印制方式 125
圖表：典型傳統(tǒng)印制技術(shù)應(yīng)用之基材種類與印制材料及其最小線寬 126
圖表：軟式微影技術(shù)的組件制作流程 127
圖表：高分辨率軟式微影技術(shù)壓印頭印制250nm×250nm方柱圖 128
圖表：由100μm玻璃背板及30μm聚合物雙層模塊成具有270nm圖案之壓印頭實例 128
圖表：傳統(tǒng)印制技術(shù)與軟式微影技術(shù)相對應(yīng)的比較 129
圖表：全球半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域分布 131
圖表：2005年全球半導(dǎo)體分類產(chǎn)品銷售收入 132
圖表：2006年排名前十位的半導(dǎo)體公司 132
圖表：2003-2005年半導(dǎo)體市場向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移 133
圖表：我國集成電路生產(chǎn)線統(tǒng)計 138
圖表：2006年我國內(nèi)地IC封裝測試企業(yè)收入前十名 139
圖表：2008年6月全球半導(dǎo)體銷售情況 145
圖表：2000-2008年歐洲半導(dǎo)體月度銷售額 145
圖表：2000-2008年歐洲半導(dǎo)體各月銷售額同比增長率 146
圖表：2007年7月-2008年7月全球半導(dǎo)體銷售額 146
圖表：2007年7月-2008年7月全球半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 147
圖表：2007年7月-2008年7月歐洲半導(dǎo)體銷售額 147
圖表：2007年7月-2008年7月歐洲半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 147
圖表：2007年7月-2008年7月美國半導(dǎo)體銷售額 148
圖表：2007年7月-2008年7月美國半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 148
圖表：2007年7月-2008年7月日本半導(dǎo)體銷售額 149
圖表：2007年7月-2008年7月日本半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 149
圖表：2007年7月-2008年7月亞太地區(qū)半導(dǎo)體銷售額 149
圖表：2007年7月-2008年7月亞太地區(qū)半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 150
圖表：2008年3-7月中國半導(dǎo)體銷售額 150
圖表：2007年8月-2008年8月全球半導(dǎo)體銷售額 151
圖表：2007年8月-2008年8月全球半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 151
圖表：2007年8月-2008年8月歐洲半導(dǎo)體銷售額 152
圖表：2007年8月-2008年8月歐洲半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 152
圖表：2007年8月-2008年8月美國半導(dǎo)體銷售額 152
圖表：2007年8月-2008年8月美國半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 153
圖表：2007年8月-2008年8月日本半導(dǎo)體銷售額 153
圖表：2007年8月-2008年8月日本半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 153
圖表：2007年8月-2008年8月亞太地區(qū)半導(dǎo)體銷售額 154
圖表：2007年8月-2008年8月亞太地區(qū)半導(dǎo)體銷售額同比和環(huán)比變化率 154
圖表：2008年3-8月中國半導(dǎo)體銷售額 155
圖表：2008年上半年半導(dǎo)體行業(yè)銷售額排名 156
圖表：2008年上半年半導(dǎo)體行業(yè)銷售額增長率排名 156
圖表：2008-2012年中國半導(dǎo)體市場營業(yè)收入預(yù)測 162
圖表：2008-2012年在中國設(shè)計的主要電子產(chǎn)品的營業(yè)收入預(yù)測 163
圖表：全球主要LED業(yè)者概況 169
圖表：2011年全球LED市場成長預(yù)測 169
圖表：全球高亮芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域分布（按銷售額統(tǒng)計） 170
圖表：全球高亮芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域分布（按銷售量統(tǒng)計） 170
圖表：全球主要LED領(lǐng)先廠商 175
圖表：2006年全球主要LED大廠營運收入 175
圖表：LED產(chǎn)業(yè)鏈投資規(guī)模估算 176
圖表：國際半導(dǎo)體照明專利狀況對比 176
圖表：全球七大LED巨頭專利數(shù)分布 176
圖表：LED發(fā)光效率演進 185
圖表：各種照明技術(shù)發(fā)光效率與光電轉(zhuǎn)換效率變化 186
圖表：LED基本分類與應(yīng)用市場 188
圖表：傳統(tǒng)亮度與高亮度LED產(chǎn)品應(yīng)用市場 189
圖表：2006-2010年全球手機出貨量預(yù)測 190
圖表：各種手機用面板技術(shù)比較 191
圖表：2006-2010LED背光模組出貨趨勢 191
圖表：2003-2009年全球照明市場規(guī)模及預(yù)測 191
圖表：2004-2006年藍光LED芯片價格變化 192
圖表：LED應(yīng)用市場發(fā)展路線圖 192
圖表：2006年國內(nèi)LED芯片市場分布圖 194
圖表：2008年全球LED應(yīng)用領(lǐng)域分布情況 212
圖表：國內(nèi)主要LED產(chǎn)業(yè)基地及其核心企業(yè) 213
圖表：2003-2010年國內(nèi)GaN芯片產(chǎn)能發(fā)展預(yù)測 213
圖表：國內(nèi)LED產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域分布 213
圖表：我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)中下游優(yōu)劣勢比較 214
圖表：2008年的中國地區(qū)電子元器件市場業(yè)務(wù)平均增長幅度預(yù)測 225
圖表：2008年元器件原廠的平均交貨期有所縮短 228
圖表：2008年電子元器件獨立分銷商開始將重點轉(zhuǎn)向服務(wù)的提供 230
圖表：電子元器件分銷商提供小批量供應(yīng)時所面臨的主要挑戰(zhàn) 231
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路全國產(chǎn)量合計 232
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路北京市產(chǎn)量合計 233
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路天津市產(chǎn)量合計 233
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路河北省產(chǎn)量合計 233
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路遼寧省產(chǎn)量合計 234
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路上海市產(chǎn)量合計 234
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路江蘇省產(chǎn)量合計 234
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路浙江省產(chǎn)量合計 235
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路福建省產(chǎn)量合計 235
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路山東省產(chǎn)量合計 235
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路河南省產(chǎn)量合計 236
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路湖北省產(chǎn)量合計 236
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路湖南省產(chǎn)量合計 236
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路廣東省產(chǎn)量合計 237
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路重慶市產(chǎn)量合計 237
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路四川省產(chǎn)量合計 237
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路貴州省產(chǎn)量合計 238
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體集成電路甘肅省產(chǎn)量合計 238
圖表：2004-2008年上半年中國集成電路市場銷售額規(guī)模及增長率 239
圖表：2008年上半年中國集成電路市場各應(yīng)用領(lǐng)域增長率 240
圖表：2008年上半年中國集成電路市場應(yīng)用結(jié)構(gòu) 240
圖表：2008年上半年中國集成電路市場產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 241
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件全國產(chǎn)量合計 246
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件北京市產(chǎn)量合計 246
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件天津市產(chǎn)量合計 247
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件河北省產(chǎn)量合計 247
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件遼寧省產(chǎn)量合計 247
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件吉林省產(chǎn)量合計 248
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件黑龍江產(chǎn)量合計 248
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件上海市產(chǎn)量合計 248
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件江蘇省產(chǎn)量合計 249
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件浙江省產(chǎn)量合計 249
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件安徽省產(chǎn)量合計 249
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件福建省產(chǎn)量合計 250
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件江西省產(chǎn)量合計 250
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件山東省產(chǎn)量合計 250
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件河南省產(chǎn)量合計 251
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件湖北省產(chǎn)量合計 251
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件湖南省產(chǎn)量合計 251
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件廣東省產(chǎn)量合計 252
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件廣西區(qū)產(chǎn)量合計 252
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件四川省產(chǎn)量合計 252
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件貴州省產(chǎn)量合計 253
圖表：2008年2-8月半導(dǎo)體分立器件陜西省產(chǎn)量合計 253
圖表：2008年全球分立器件終端產(chǎn)品市場預(yù)測 255
圖表：2008年我國分立器件市場按產(chǎn)品結(jié)構(gòu)細分預(yù)測 255
圖表：半導(dǎo)體氣體與化學(xué)品技術(shù)發(fā)展藍圖 259
圖表：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司200mm硅拋光片規(guī)格 262
圖表：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司150mm硅拋光片規(guī)格 262
圖表：2008年2季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主營構(gòu)成表 264
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司每股指標 264
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司獲利能力表 264
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營能力表 265
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司償債能力表 265
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 265
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司發(fā)展能力表 265
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 266
圖表：2007-2008年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司利潤分配表 266
圖表：2008-2010年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司資產(chǎn)負債表 267
圖表：2008-2010年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司現(xiàn)金流量表 268
圖表：2008-2010年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司利潤表 268
圖表：2008-2010年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司財務(wù)指標 269
圖表：天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司產(chǎn)品銷售市場 271
圖表：2008年上半年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司收入情況 273
圖表：2008年2季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主營構(gòu)成表 274
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司每股指標 274
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司獲利能力表 274
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營能力表 275
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司償債能力表 275
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 275
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)展能力表 275
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 276
圖表：2007-2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司利潤分配表 276
圖表：2006-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司項目進度 277
圖表：2008-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司利潤表 277
圖表：2008-2010年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司基本財務(wù)狀況 278
圖表：2008年上半年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司分業(yè)務(wù)情況 279
圖表：2008年上半年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司各項業(yè)務(wù)的經(jīng)營情況 280
圖表：2008年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司業(yè)績越來越多的依賴單晶硅 280
圖表：天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司未來區(qū)熔單晶硅業(yè)務(wù)增長敏感性分析 281
圖表：新光硅業(yè)公司股東及持股比例 287
圖表：立立電子拋光片產(chǎn)品規(guī)格 292
圖表：立立電子外延片產(chǎn)品規(guī)格 293
圖表：2008年2季度寧波康強電子股份有限公司主營構(gòu)成表 295
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司每股指標 295
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司獲利能力表 296
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司經(jīng)營能力表 296
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司償債能力表 296
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 296
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司發(fā)展能力表 297
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 297
圖表：2007-2008年寧波康強電子股份有限公司利潤分配表 297
圖表：2008年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模 302
圖表：中國半導(dǎo)體材料需求量 305
圖表：2005-2006年我國多晶硅企業(yè)籌建、新建、擴建情況 318